Metal oxide semiconductor structure using oxygen-terminated diamond. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00993926 , version 1 (20-05-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00993926 , version 1

Citer

Julien Pernot, Gauthier Chicot, Aurélien Maréchal, Etienne Gheeraert, Pierre Muret. Metal oxide semiconductor structure using oxygen-terminated diamond.. MRS Fall Meeting 2013 : Symposium S - Diamond Electronics and Biotechnology Fundamentals to Applications VII in Boston, US, Dec 2013, Boston, United States. ⟨hal-00993926⟩
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