Comparison of the electrical behavior in the subthreshold region between laser and solid state phase crystallized polysilicon thin film transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2002

Comparison of the electrical behavior in the subthreshold region between laser and solid state phase crystallized polysilicon thin film transistors

A. Mercha
  • Fonction : Auteur
Régis Carin
Y. Helen
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00936100 , version 1 (24-01-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00936100 , version 1

Citer

Laurent Pichon, A. Mercha, Régis Carin, Tayeb Mohammed-Brahim, Olivier Bonnaud, et al.. Comparison of the electrical behavior in the subthreshold region between laser and solid state phase crystallized polysilicon thin film transistors. Solid-State Electronics, 2002, 46, pp.459-466. ⟨hal-00936100⟩
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