PE-MOCVD of GeTe materials for Phase Change Memory Applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00925816 , version 1 (08-01-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00925816 , version 1

Citer

E. Despiau-Pujo, L. Dussault, Corentin Vallée, E. Gourvest, D. Jourde, et al.. PE-MOCVD of GeTe materials for Phase Change Memory Applications. AVS 58th International Symposium, Nashville, USA, Oct 30-Nov 4, 2011, Oct 2011, nashville, United States. ⟨hal-00925816⟩
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