Autre Publication Scientifique
Année : 2013
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https://hal.science/hal-00919597
Soumis le : mardi 17 décembre 2013-09:37:28
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00919597 , version 1
Citer
Samira Bouzid-Driad. Réalisation et caractérisation de transistors HEMTs GaN pour des applications dans le domaine millimétrique. 2013. ⟨hal-00919597⟩
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