Autre Publication Scientifique Année : 2013

Réalisation et caractérisation de transistors HEMTs GaN pour des applications dans le domaine millimétrique

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00919597 , version 1 (17-12-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00919597 , version 1

Citer

Samira Bouzid-Driad. Réalisation et caractérisation de transistors HEMTs GaN pour des applications dans le domaine millimétrique. 2013. ⟨hal-00919597⟩
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