Communication Dans Un Congrès
Année : 2013
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00908479
Soumis le : samedi 23 novembre 2013-16:13:08
Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00908479 , version 1
Citer
F. Piallat, Corentin Vallée, R. Gassilloud, P. Michallon, B. Pelissier, et al.. RF vs Dual Frequency: strong improvement of CMOS metal gate deposition (TaCN and TiCN) thanks to the precursor fragmentation modification. AVS 2013, Oct 2013, Long Beach, United States. ⟨hal-00908479⟩
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