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Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ à hétérojonction de la filière InAlAs/InGaAs sur substrat flexible

J.S. Shi
  • Fonction : Auteur
Nicolas Wichmann
Yannick Roelens
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00878373 , version 1 (30-10-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00878373 , version 1

Citer

J.S. Shi, Nicolas Wichmann, Yannick Roelens, S. Bollaert. Réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ à hétérojonction de la filière InAlAs/InGaAs sur substrat flexible. 18èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2013, 2013, Paris, France. papier J2-DA-P9, 4 p. ⟨hal-00878373⟩
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