Cryogenic DC characterization of InAs/Al80Ga20Sb self-switching diodes - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Cryogenic DC characterization of InAs/Al80Ga20Sb self-switching diodes

A. Westlund
  • Fonction : Auteur
G. Moschetti
  • Fonction : Auteur
P.A. Nilsson
  • Fonction : Auteur
J. Grahn
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00877742 , version 1 (29-10-2013)

Identifiants

Citer

A. Westlund, G. Moschetti, P.A. Nilsson, J. Grahn, L. Desplanque, et al.. Cryogenic DC characterization of InAs/Al80Ga20Sb self-switching diodes. 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2013, 2013, Kobe, Japan. paper MoPI-20, 2 p., ⟨10.1109/ICIPRM.2013.6562599⟩. ⟨hal-00877742⟩
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