Communication Dans Un Congrès
Année : 2013
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https://hal.science/hal-00877742
Soumis le : mardi 29 octobre 2013-10:35:44
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
A. Westlund, G. Moschetti, P.A. Nilsson, J. Grahn, L. Desplanque, et al.. Cryogenic DC characterization of InAs/Al80Ga20Sb self-switching diodes. 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2013, 2013, Kobe, Japan. paper MoPI-20, 2 p., ⟨10.1109/ICIPRM.2013.6562599⟩. ⟨hal-00877742⟩
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