Communication Dans Un Congrès
Année : 2013
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00877719
Soumis le : mardi 29 octobre 2013-10:28:23
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
C. Gardes, S.M. Bagumako, L. Desplanque, Nicolas Wichmann, Francois Danneville, et al.. 120nm AlSb/InAs HEMT without gate recess : 290GHz fT and 335GHz fmax. 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2013, 2013, Kobe, Japan. paper MoPI-25, 2 p., ⟨10.1109/ICIPRM.2013.6562604⟩. ⟨hal-00877719⟩
Collections
69
Consultations
0
Téléchargements