Article Dans Une Revue
Current Applied Physics
Année : 2013
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https://hal.science/hal-00872006
Soumis le : vendredi 11 octobre 2013-10:32:51
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
H. Mosbahi, M. Gassoumi, H. Mejri, I. Saidi, Christophe Gaquière, et al.. Direct-current and radio-frequency characteristics of passivated AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors. Current Applied Physics, 2013, 13, pp.1359-1364. ⟨10.1016/j.cap.2013.04.003⟩. ⟨hal-00872006⟩
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