Direct-current and radio-frequency characteristics of passivated AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Current Applied Physics Année : 2013

Direct-current and radio-frequency characteristics of passivated AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors

H. Mosbahi
  • Fonction : Auteur
M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
H. Mejri
  • Fonction : Auteur
I. Saidi
  • Fonction : Auteur
M.A. Zaidi
  • Fonction : Auteur
H. Maaref
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-00872006 , version 1 (11-10-2013)

Identifiants

Citer

H. Mosbahi, M. Gassoumi, H. Mejri, I. Saidi, Christophe Gaquière, et al.. Direct-current and radio-frequency characteristics of passivated AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors. Current Applied Physics, 2013, 13, pp.1359-1364. ⟨10.1016/j.cap.2013.04.003⟩. ⟨hal-00872006⟩
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