High mobility top-gate micro-crystalline silicon TFTs processed at low temperature (<200°C) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00870767 , version 1 (08-10-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00870767 , version 1

Citer

Amar Saboundji, Nathalie . Coulon, Claude Simon, Tayeb Mohammed-Brahim, Olivier Bonnaud. High mobility top-gate micro-crystalline silicon TFTs processed at low temperature (<200°C). Thin Film Transistor Technology VII The ElectroChem. Soc, Sep 2004, Honolulu, United States. ⟨hal-00870767⟩
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