Deep etching of gallium nitride by chlorine based plasma - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00831346 , version 1 (06-06-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00831346 , version 1

Citer

Remi Dussart, Julien Ladroue, Thomas Tillocher, Mohamed Boufnichel, Nicolas Gosset, et al.. Deep etching of gallium nitride by chlorine based plasma. Journées Nationales des Technologies Emergentes, May 2013, Evian, France. ⟨hal-00831346⟩
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