Communication Dans Un Congrès
Année : 2013
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00828414
Soumis le : vendredi 31 mai 2013-07:54:07
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00828414 , version 1
Citer
J. Shi, Nicolas Wichmann, Yannick Roelens, S. Bollaert. High cut-off frequency performances of 100nm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors on polyimide flexible substrate. 37th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2013, 2013, Warnemünde, Germany. pp.15-16. ⟨hal-00828414⟩
Collections
14
Consultations
0
Téléchargements