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Communication Dans Un Congrès Année : 2013

All E-beam technology of GaN Schottky diodes and their large-signal characteristics

C. Jin
  • Fonction : Auteur
D. Ducatteau
  • Fonction : Auteur
D. Pavlidis
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00828411 , version 1 (31-05-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00828411 , version 1

Citer

C. Jin, M. Zaknoune, D. Ducatteau, D. Pavlidis. All E-beam technology of GaN Schottky diodes and their large-signal characteristics. 37th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2013, 2013, Warnemünde, Germany. pp.11-12. ⟨hal-00828411⟩
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