High Temperature Chemical Vapor Deposition of thick (5 to 20 mm) Aluminum nitride layers - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

High Temperature Chemical Vapor Deposition of thick (5 to 20 mm) Aluminum nitride layers

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00812217 , version 1 (11-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00812217 , version 1

Citer

E. Blanquet, A. Claudel, S. Lay, R. Boichot, N. Coudurier, et al.. High Temperature Chemical Vapor Deposition of thick (5 to 20 mm) Aluminum nitride layers. International Workshop on crystal growth and characterization of advanced materials and devices., Dec 2012, Chennai, India. ⟨hal-00812217⟩
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