Communication Dans Un Congrès
Année : 2012
Yannick Champion : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00812217
Soumis le : jeudi 11 avril 2013-20:06:18
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:13
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00812217 , version 1
Citer
E. Blanquet, A. Claudel, S. Lay, R. Boichot, N. Coudurier, et al.. High Temperature Chemical Vapor Deposition of thick (5 to 20 mm) Aluminum nitride layers. International Workshop on crystal growth and characterization of advanced materials and devices., Dec 2012, Chennai, India. ⟨hal-00812217⟩
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