Significance of initial stages on the epitaxial growth of AlN using High Temperature Halide Chemical Vapor Deposition.
M. Balaji
(1)
,
A. Claudel
(2)
,
V. Fellmann
(1)
,
I. Gélard
(2)
,
E. Blanquet
(1)
,
R. Boichot
(1)
,
Hervé Roussel
(3)
,
D. Pique
(2)
,
K. Baskar
,
M. Pons
(1)
I. Gélard
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1259318
- IdHAL : isabelle-gelard
- ORCID : 0000-0003-0102-7611
- IdRef : 139543813
E. Blanquet
- Fonction : Auteur
- PersonId : 739157
- IdHAL : elisabeth-blanquet
- ORCID : 0000-0001-6467-9110
- IdRef : 135652669
Hervé Roussel
- Fonction : Auteur
- PersonId : 738921
- IdHAL : herve-roussel
- ORCID : 0000-0001-6110-5760
K. Baskar
- Fonction : Auteur
M. Pons
- Fonction : Auteur
- PersonId : 174847
- IdHAL : michel-pons
- ORCID : 0000-0002-5833-6063
- IdRef : 077856112