Significance of initial stages on the epitaxial growth of AlN using High Temperature Halide Chemical Vapor Deposition. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (c) Année : 2012

Significance of initial stages on the epitaxial growth of AlN using High Temperature Halide Chemical Vapor Deposition.

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00812202 , version 1 (11-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00812202 , version 1

Citer

M. Balaji, A. Claudel, V. Fellmann, I. Gélard, E. Blanquet, et al.. Significance of initial stages on the epitaxial growth of AlN using High Temperature Halide Chemical Vapor Deposition.. physica status solidi (c), 2012, C9 ((3-4)), pp.511.514. ⟨hal-00812202⟩
92 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More