On the origin of the line width roughness of photoresist patterns after plasma exposure - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00808675 , version 1 (05-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00808675 , version 1

Citer

R. Ramos, M. Brihoum, K. Menguelti, L. Azarnouche, M. Fouchier, et al.. On the origin of the line width roughness of photoresist patterns after plasma exposure. AVS 59th Symposium, Oct 2012, tampa, United States. ⟨hal-00808675⟩
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