Spectroscopie d'admittance de jonctions métal/isolant/pentacene/métal - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Spectroscopie d'admittance de jonctions métal/isolant/pentacene/métal

Résumé

Nous présentons l’étude de jonctions Métal/SiO2/Pentacène/Métal par spectroscopie d’admittance dans une large gamme de fréquences et de polarisations. Ces jonctions basculent d’un régime d’accumulation de charges à l’interface isolant/pentacène à un régime de déplétion. Nous montrons que l’admittance comprend trois composantes essentielles actives dans des gammes de fréquences différentes. A basses fréquences (10-1 – 10Hz), la réponse est typique d’un courant de diffusion ioniques. A hautes fréquences (~107 Hz), elle correspond à des contributions de type dipolaire de défauts localisés dans l’oxyde. Enfin, aux fréquences intermédiaires (~103 Hz) la réponse est due à des défauts à l’interface pentacene/oxyde ou dans le pentacene
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00807723 , version 1 (04-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00807723 , version 1

Citer

Romuald Ledru, Stéphane Pleutin, Bruno Grouiez, Damien Zander, H. Bejbouji, et al.. Spectroscopie d'admittance de jonctions métal/isolant/pentacene/métal. Matériaux et Nanostructures π-Conjugués, MNPC 11, Oct 2011, Obernai, France. ⟨hal-00807723⟩
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