Article Dans Une Revue
Semiconductors
Année : 2013
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https://hal.science/hal-00806585
Soumis le : mardi 2 avril 2013-08:24:36
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00806585 , version 1
Citer
M. Gassoumi, H. Mosbahi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref. Effect of surface passivation by SiN/SiO2 of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si substrate by deep level transient spectroscopy method. Semiconductors, 2013, 47, pp.1002-1005. ⟨hal-00806585⟩
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