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Article Dans Une Revue Semiconductors Année : 2013

Effect of surface passivation by SiN/SiO2 of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si substrate by deep level transient spectroscopy method

M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
H. Mosbahi
  • Fonction : Auteur
M.A. Zaidi
  • Fonction : Auteur
H. Maaref
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00806585 , version 1 (02-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00806585 , version 1

Citer

M. Gassoumi, H. Mosbahi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref. Effect of surface passivation by SiN/SiO2 of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si substrate by deep level transient spectroscopy method. Semiconductors, 2013, 47, pp.1002-1005. ⟨hal-00806585⟩
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