Communication Dans Un Congrès
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00802567
Soumis le : mercredi 20 mars 2013-10:09:19
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00802567 , version 1
Citer
M. Gassoumi, O. Fathalla, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref. Analysis of surface charging effects in passivated AlGaN/GaN HEMTS on SiC substrate. 11th Expert Meeting on Evaluation & Control of Coumpound Semiconductor Materials and Technologies, EXMATEC 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2. ⟨hal-00802567⟩
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