Analysis of surface charging effects in passivated AlGaN/GaN HEMTS on SiC substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Analysis of surface charging effects in passivated AlGaN/GaN HEMTS on SiC substrate

M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
O. Fathalla
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
H. Maaref
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00802567 , version 1 (20-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00802567 , version 1

Citer

M. Gassoumi, O. Fathalla, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref. Analysis of surface charging effects in passivated AlGaN/GaN HEMTS on SiC substrate. 11th Expert Meeting on Evaluation & Control of Coumpound Semiconductor Materials and Technologies, EXMATEC 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2. ⟨hal-00802567⟩
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