Communication Dans Un Congrès
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00801155
Soumis le : vendredi 15 mars 2013-11:15:20
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00801155 , version 1
Citer
H. Mosbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Vanessa Avramovic, Christophe Gaquière, et al.. Characterization on AlGaN/GaN/Si HEMTs devices passivated with SiN/SiO2. 36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2. ⟨hal-00801155⟩
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