Ionization effect on SiGe HBT power limitation in the millimeter wave frequency range - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Ionization effect on SiGe HBT power limitation in the millimeter wave frequency range

A. Pottrain
  • Fonction : Auteur
T. Lacave
  • Fonction : Auteur
D. Gloria
  • Fonction : Auteur
P. Chevalier
  • Fonction : Auteur
F. Purchon
  • Fonction : Auteur
N. Derrier
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00800126 , version 1 (13-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00800126 , version 1

Citer

A. Pottrain, T. Lacave, D. Gloria, P. Chevalier, F. Purchon, et al.. Ionization effect on SiGe HBT power limitation in the millimeter wave frequency range. 6th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2011, 2011, Manchester, United Kingdom. pp.212-215. ⟨hal-00800126⟩
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