Ionization effect on SiGe HBT power limitation in the millimeter wave frequency range - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Ionization effect on SiGe HBT power limitation in the millimeter wave frequency range

A. Pottrain
  • Fonction : Auteur
T. Lacave
  • Fonction : Auteur
D. Gloria
  • Fonction : Auteur
P. Chevalier
  • Fonction : Auteur
F. Purchon
  • Fonction : Auteur
N. Derrier
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00800126

Soumis le : mercredi 13 mars 2013-11:28:30

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00800126 , version 1 (13-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00800126 , version 1

Citer

A. Pottrain, T. Lacave, D. Gloria, P. Chevalier, F. Purchon, et al.. Ionization effect on SiGe HBT power limitation in the millimeter wave frequency range. 6th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2011, 2011, Manchester, United Kingdom. pp.212-215. ⟨hal-00800126⟩

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