High RF performance of AlGaN/GaN HEMT on (110)-oriented silicon substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

High RF performance of AlGaN/GaN HEMT on (110)-oriented silicon substrate

J.C. Gerbedoen
A. Soltani
Y. Cordier
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00800113 , version 1 (13-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00800113 , version 1

Citer

J.C. Gerbedoen, A. Soltani, Y. Cordier, Jean-Claude de Jaeger. High RF performance of AlGaN/GaN HEMT on (110)-oriented silicon substrate. 20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2. ⟨hal-00800113⟩
33 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More