THz applications at room temperature based on self switch diodes using wide bandgap material - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

THz applications at room temperature based on self switch diodes using wide bandgap material

Christophe Gaquière
P. Sangare
  • Fonction : Auteur
B. Grimbert
M. Faucher
I. Iniguez-De-La-Torre
  • Fonction : Auteur
A. Iniguez-De-La-Torre
  • Fonction : Auteur
T. Gonzalez
J. Mateos
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00798262 , version 1 (08-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00798262 , version 1

Citer

Christophe Gaquière, Guillaume Ducournau, P. Sangare, B. Grimbert, M. Faucher, et al.. THz applications at room temperature based on self switch diodes using wide bandgap material. IEEE IMS Workshops & Short Courses : THz Devices and Systems Based on Nanotechnology, 2012, Montréal, Canada. ⟨hal-00798262⟩
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