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Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Analysis of surface charging effects in passivated AlGaN/GaN HEMTs

M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
H. Mosbahi
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
H. Maaref
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00798219 , version 1 (08-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00798219 , version 1

Citer

M. Gassoumi, H. Mosbahi, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref. Analysis of surface charging effects in passivated AlGaN/GaN HEMTs. European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2012, Symposium Q : Novel materials and fabrication methods for new emerging devices, 2012, Strasbourg, France. ⟨hal-00798219⟩
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