Improvement of direct current and radio frequency characteristics of AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Improvement of direct current and radio frequency characteristics of AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors

H. Mosbahi
  • Fonction : Auteur
M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
M.A. Zaidi
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
H. Maaref
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00798201 , version 1 (08-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00798201 , version 1

Citer

H. Mosbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, B. Grimbert, et al.. Improvement of direct current and radio frequency characteristics of AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors. European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2012, Symposium Y : Advanced materials and characterization techniques for solar cells, 2012, Strasbourg, France. ⟨hal-00798201⟩
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