Communication Dans Un Congrès
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00798201
Soumis le : vendredi 8 mars 2013-10:59:30
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00798201 , version 1
Citer
H. Mosbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, B. Grimbert, et al.. Improvement of direct current and radio frequency characteristics of AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors. European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2012, Symposium Y : Advanced materials and characterization techniques for solar cells, 2012, Strasbourg, France. ⟨hal-00798201⟩
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