Phosphorous doped (110) homoepitaxial diamond films : influence of the substrate miscut angle on growth and electrical transport - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Phosphorous doped (110) homoepitaxial diamond films : influence of the substrate miscut angle on growth and electrical transport

Y. Balasubramaniam
  • Fonction : Auteur
P. Robaeys
  • Fonction : Auteur
S.D. Janssens
  • Fonction : Auteur
J. d'Haen
  • Fonction : Auteur
M. Nesladek
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00798199 , version 1 (08-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00798199 , version 1

Citer

Y. Balasubramaniam, P. Robaeys, S.D. Janssens, J. d'Haen, A. Soltani, et al.. Phosphorous doped (110) homoepitaxial diamond films : influence of the substrate miscut angle on growth and electrical transport. International Conference on Diamond and Carbon Materials, ICDCM 2012, 2012, Granada, Spain. ⟨hal-00798199⟩
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