Proton irradiation effects on InGaAs/InP Photodiodes for Space Applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Proton irradiation effects on InGaAs/InP Photodiodes for Space Applications

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Electronique

Isabelle Bord  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00798135

Soumis le : vendredi 8 mars 2013-09:42:48

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00798135 , version 1 (08-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00798135 , version 1

Citer

G. Pedroza, M. Boutillier, L.S. How, L. Bechou, T. Nuns, et al.. Proton irradiation effects on InGaAs/InP Photodiodes for Space Applications. RADECS, Sep 2012, Biarritz, France. pp.Session : Photonics devices and ICs. ⟨hal-00798135⟩

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