Development of high temperature packaging technologies for SiC power devices based on finite elements simulanation and experiments: thermal approach - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Development of high temperature packaging technologies for SiC power devices based on finite elements simulanation and experiments: thermal approach

Domaines

Energie électrique

Stephane Azzopardi  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00795337

Soumis le : mercredi 27 février 2013-18:42:44

Dernière modification le : vendredi 9 février 2024-10:14:19

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Dates et versions

hal-00795337 , version 1 (27-02-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00795337 , version 1

Citer

Ludi Zhang, Stephane Azzopardi, Alexandrine Gracia, Jean-Yves Delétage, Eric Woirgard. Development of high temperature packaging technologies for SiC power devices based on finite elements simulanation and experiments: thermal approach. 8th International Conference on Integration of Power Electronics Systems, Mar 2012, Nurember, Germany. pp.xx-xx. ⟨hal-00795337⟩

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