Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00788168
Soumis le : jeudi 14 février 2013-08:09:59
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
A. Pottrain, T. Lacave, D. Ducatteau, D. Gloria, P. Chevalier, et al.. High power density performances of SiGe HBT from BiCMOS technology at W-band. IEEE Electron Device Letters, 2012, 33, pp.182-184. ⟨10.1109/LED.2011.2177631⟩. ⟨hal-00788168⟩
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