Article Dans Une Revue
Electronics Letters
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00787867
Soumis le : mercredi 13 février 2013-11:30:07
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
S. Bouzid, H. Maher, N. Defrance, Virginie Hoel, F. Lecourt, et al.. 435mS/mm transconductance for AlGaN/GaN HEMTs on HR-Si substrate with optimised gate-source spacing. Electronics Letters, 2012, 48, pp.69-71. ⟨10.1049/el.2011.3605⟩. ⟨hal-00787867⟩
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