435mS/mm transconductance for AlGaN/GaN HEMTs on HR-Si substrate with optimised gate-source spacing - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 2012

435mS/mm transconductance for AlGaN/GaN HEMTs on HR-Si substrate with optimised gate-source spacing

S. Bouzid
  • Fonction : Auteur
H. Maher
N. Defrance
F. Lecourt
  • Fonction : Auteur
M. Renvoise
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger
P. Frijlink
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00787867 , version 1 (13-02-2013)

Identifiants

Citer

S. Bouzid, H. Maher, N. Defrance, Virginie Hoel, F. Lecourt, et al.. 435mS/mm transconductance for AlGaN/GaN HEMTs on HR-Si substrate with optimised gate-source spacing. Electronics Letters, 2012, 48, pp.69-71. ⟨10.1049/el.2011.3605⟩. ⟨hal-00787867⟩
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