Fabrication of SiC nanopillars by inductively coupled SF6/O2 plasma etching - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Physics D: Applied Physics Année : 2012
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00778008 , version 1 (18-01-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00778008 , version 1

Citer

J.H. Choi, L. Latu-Romain, Edwige Bano, F. Dhalluin, T. Chevolleau, et al.. Fabrication of SiC nanopillars by inductively coupled SF6/O2 plasma etching. Journal of Physics D: Applied Physics, 2012, pp.45 - 235204. ⟨hal-00778008⟩
140 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More