Vertically Integrated Si and SiGe Nanowires for the Realization of 3D Field-effect Transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00777311 , version 1 (17-01-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00777311 , version 1

Citer

G. Rosaz, A. Potie, N. Pauc, P. Gentile, L. Dupre, et al.. Vertically Integrated Si and SiGe Nanowires for the Realization of 3D Field-effect Transistors. MRS 2012, Apr 2012, San Francisco, United States. ⟨hal-00777311⟩
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