Article Dans Une Revue
Journal of Semiconductors
Année : 2012
Thomas Kauffmann : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00772108
Soumis le : jeudi 10 janvier 2013-09:33:05
Dernière modification le : mardi 12 septembre 2023-14:06:26
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00772108 , version 1
- DOI : 10.1088/1674-4926/33/3/034002
Citer
S. Ould Saad Hamady. A simulation of doping and trap effects on the spectral response of AlGaN ultraviolet detectors. Journal of Semiconductors, 2012, 33 (3), pp.034002. ⟨10.1088/1674-4926/33/3/034002⟩. ⟨hal-00772108⟩
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