Determination of the disorder profile in an ion-implanted silicon carbide single crystal by Raman spectroscopy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Raman Spectroscopy Année : 2012

Dates et versions

hal-00750912 , version 1 (12-11-2012)

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Citer

F. Linez, A. Canizares, A. Gentils, G. Guimbretiere, P. Simon, et al.. Determination of the disorder profile in an ion-implanted silicon carbide single crystal by Raman spectroscopy. Journal of Raman Spectroscopy, 2012, 43, pp.939-944. ⟨10.1002/jrs.3118⟩. ⟨hal-00750912⟩
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