Article Dans Une Revue
Journal of Raman Spectroscopy
Année : 2012
Patrick Simon : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00750912
Soumis le : lundi 12 novembre 2012-16:34:37
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11
Citer
F. Linez, A. Canizares, A. Gentils, G. Guimbretiere, P. Simon, et al.. Determination of the disorder profile in an ion-implanted silicon carbide single crystal by Raman spectroscopy. Journal of Raman Spectroscopy, 2012, 43, pp.939-944. ⟨10.1002/jrs.3118⟩. ⟨hal-00750912⟩
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