Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2011

Impurity impact ionization avalanche in p-type diamond

Résumé

Electrical conductivity of a highly boron doped chemical vapor deposited diamond thin film has been studied at different temperatures under high electric field conditions. Current-voltage characteristics have been measured using pulsed technique to reduce thermal effects. Experimental results evidence deep impurity impact ionization avalanche in p-type diamond up to room temperature.

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hal-00737919 , version 1 (02-10-2012)

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Vincent Mortet, A. Soltani. Impurity impact ionization avalanche in p-type diamond. Applied Physics Letters, 2011, 99, pp.202105. ⟨10.1063/1.3662403⟩. ⟨hal-00737919⟩
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