Design of a High Temperature EMI Input Filter for a 2 kW HVDC-Fed Inverter - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Microelectronics and Electronic Packaging Année : 2011

Design of a High Temperature EMI Input Filter for a 2 kW HVDC-Fed Inverter

Rémi Robutel
  • Fonction : Auteur
Ampère
Christian Martin
Ampère
CV
Hervé Morel
Ampère
CV
Cyril Buttay
Ampère
CV
Nicolas Gazel
  • Fonction : Auteur
SAFRAN, Grp Hispano Suiza
Dominique Bergogne
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 902061
Ampère

Résumé

In this article, a high temperature EMI input filter for a SiC JFET inverter is designed and tested in operating conditions at 200°C. Inverter EMI issues, design procedure, and characterizations of selected components are presented in detail. The feasibility based on industrially available materials and components is demonstrated with a low temperature dependence of the EMI spectrum.

Domaines

Energie électrique

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https://hal.science/hal-00729066

Soumis le : vendredi 7 septembre 2012-14:14:28

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:56

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00729066 , version 1 (07-09-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00729066 , version 1

Citer

Rémi Robutel, Christian Martin, Hervé Morel, Cyril Buttay, Nicolas Gazel, et al.. Design of a High Temperature EMI Input Filter for a 2 kW HVDC-Fed Inverter. Journal of Microelectronics and Electronic Packaging, 2011, 8 (1), pp.23-30. ⟨hal-00729066⟩

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