Two-dimensional simulation of the effects of grain boundaries on the C-V characteristics of P+N polysilicon diodes - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Physics D: Applied Physics Année : 2005

Two-dimensional simulation of the effects of grain boundaries on the C-V characteristics of P+N polysilicon diodes

M. Amrani
R. Menezela
  • Fonction : Auteur
A. Boudissa
  • Fonction : Auteur
M. Chellali
  • Fonction : Auteur
F. Raoult
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00718124 , version 1 (16-07-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00718124 , version 1

Citer

M. Amrani, Z. Benamara, R. Menezela, A. Boudissa, M. Chellali, et al.. Two-dimensional simulation of the effects of grain boundaries on the C-V characteristics of P+N polysilicon diodes. Journal of Physics D: Applied Physics, 2005, 38 (4), pp.596-603. ⟨hal-00718124⟩
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