Ultra-low energy ion implantation of Si into HfO<sub>2</sub>-based structures for non volatile memory applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Research Society Symposia Proceedings Année : 2009

Ultra-low energy ion implantation of Si into HfO2-based structures for non volatile memory applications

Pierre-Eugène Coulon
  • Fonction : Auteur
K. Chan Shin Yu
  • Fonction : Auteur
Sylvie Schamm-Chardon
Gérard Benassayag
Béatrice Pécassou
S. Lhostis
  • Fonction : Auteur
Caroline Bonafos
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00697605 , version 1 (15-05-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00697605 , version 1

Citer

Pierre-Eugène Coulon, K. Chan Shin Yu, Sylvie Schamm-Chardon, Gérard Benassayag, Béatrice Pécassou, et al.. Ultra-low energy ion implantation of Si into HfO2-based structures for non volatile memory applications. Materials Research Society Symposia Proceedings, 2009, 1160, pp.H01-03. ⟨hal-00697605⟩

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CNRS
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