Deep GaN Etching by Inductively Coupled Plasma - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00696418 , version 1 (11-05-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00696418 , version 1

Citer

Julien Ladroue, Mohamed Boufnichel, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Pierre Ranson, et al.. Deep GaN Etching by Inductively Coupled Plasma. HeteroSiC-WASMPE 2011, Jun 2011, Tours, France. ⟨hal-00696418⟩
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