Communication Dans Un Congrès
Année : 2011
Thomas Tillocher : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00696396
Soumis le : vendredi 11 mai 2012-15:47:42
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:55
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00696396 , version 1
Citer
Julien Ladroue, Mohamed Boufnichel, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Pierre Ranson, et al.. Deep Gallium Nitride Etching: ways to avoid etching defects. 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, Mar 2011, Nagoya, Japan. ⟨hal-00696396⟩
Collections
13
Consultations
0
Téléchargements