Deep Gallium Nitride Etching: ways to avoid etching defects - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00696396 , version 1 (11-05-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00696396 , version 1

Citer

Julien Ladroue, Mohamed Boufnichel, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Pierre Ranson, et al.. Deep Gallium Nitride Etching: ways to avoid etching defects. 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, Mar 2011, Nagoya, Japan. ⟨hal-00696396⟩
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