Aluminum nitride homoepitaxial growth on polar and non-polar AlN PVT substrates by high temperature CVD (HTCVD). - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (c) Année : 2011

Aluminum nitride homoepitaxial growth on polar and non-polar AlN PVT substrates by high temperature CVD (HTCVD).

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00692267 , version 1 (29-04-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00692267 , version 1

Citer

A. Claudel, Y. Chowanek, E. Blanquet, D. Chaussende, R. Boichot, et al.. Aluminum nitride homoepitaxial growth on polar and non-polar AlN PVT substrates by high temperature CVD (HTCVD).. physica status solidi (c), 2011, 8 (7-8), pp.2019-2021. ⟨hal-00692267⟩
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