Reliability of submicron InGaAs/InP DHBT under thermal and electrical stresses - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2011

Reliability of submicron InGaAs/InP DHBT under thermal and electrical stresses

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Nathalie Labat  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00670550

Soumis le : mercredi 15 février 2012-16:10:15

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

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Dates et versions

hal-00670550 , version 1 (15-02-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00670550 , version 1

Citer

G. A. Koné, B. Grandchamp, C. Hainaut, F. Marc, C. Maneux, et al.. Reliability of submicron InGaAs/InP DHBT under thermal and electrical stresses. Microelectronics Reliability, 2011, 51 (9-11), pp.1730-1735. ⟨hal-00670550⟩

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