Room temperature operation of GaAsP(N)/GaP(N) quantum well based light-emitting diodes: Effect of the incorporation of nitrogen
Cédric Robert Robert
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Alexandre Bondi
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Thanh Tra Nguyen
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Jacky Even
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Charles Cornet
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Olivier Durand
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Jean-Philippe Burin
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Jean-Marc Jancu
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Weiming Guo
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Antoine Létoublon
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Hervé Folliot
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Soline Richard
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Mathieu Perrin
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Nicolas Chevalier
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Olivier Dehaese
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Karine Tavernier
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Slimane Loualiche
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Alain Le Corre
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Alexandre Bondi
- Fonction : Auteur
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Thanh Tra Nguyen
- Fonction : Auteur
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Jacky Even
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- ORCID : 0000-0002-4607-3390
- IdRef : 076470482
Charles Cornet
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- IdHAL : charles-cornet
- ORCID : 0000-0002-1363-7401
- IdRef : 112108571
Olivier Durand
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- PersonId : 3896
- IdHAL : olivier-durand
- ORCID : 0000-0002-4956-7767
- IdRef : 159510996
Jean-Philippe Burin
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- PersonId : 3879
- IdHAL : jean-philippe-burin
- IdRef : 253127491
Jean-Marc Jancu
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Weiming Guo
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Antoine Létoublon
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- IdHAL : antoine-letoublon
- ORCID : 0000-0002-3655-5943
- IdRef : 191470953
Hervé Folliot
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- PersonId : 3423
- IdHAL : herve-folliot
- ORCID : 0000-0002-1392-4865
- IdRef : 13913266X
Soline Richard
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- PersonId : 3169
- IdHAL : solinerichard
- ORCID : 0000-0002-0880-0999
- IdRef : 087466694
Mathieu Perrin
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- PersonId : 3205
- IdHAL : mathieu-perrin
- ORCID : 0000-0001-5396-1428
Nicolas Chevalier
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- PersonId : 870970
Olivier Dehaese
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- PersonId : 834279
Karine Tavernier
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- PersonId : 1391302
- IdHAL : karine-tavernier
Slimane Loualiche
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- PersonId : 839921
Alain Le Corre
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- PersonId : 3889
- IdHAL : alain-le-corre
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Résumé
This letter deals with the electroluminescence emission at room temperature of two light-emitting diodes on GaP substrate, based on ternary GaAsP/GaP and quaternary GaAsPN/GaPN multiple quantum wells. In agreement with tight-binding calculations, an indirect band gap is demonstrated from the temperature-dependent photoluminescence for the first structure. High efficiency photoluminescence is then observed for the second structure. Strong electroluminescence and photocurrent are measured from the diode structures at room temperature at wavelengths of 660 nm GaAsP/GaP and 730 nm GaAsPN/GaPN . The role of the incorporation of nitrogen on the optical band gap and on the nature of interband transitions is discussed.