PE-MOCVD of GeTe material for Phase Change Memory - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00650192 , version 1 (09-12-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00650192 , version 1

Citer

E. Despiau-Pujo, L. Dussault, Corentin Vallée, E. Gourvest, D. Jourde, et al.. PE-MOCVD of GeTe material for Phase Change Memory. 58th National Symposium AVS, Oct 2011, Nashville, United States. ⟨hal-00650192⟩
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