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Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Measurements of THz emission from nanometric-size transistors

P. Shiktorov
  • Fonction : Auteur
E. Starikov
  • Fonction : Auteur
V. Gruzhinskis
  • Fonction : Auteur
Frederic Teppe
Dominique Coquillat
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 869119

Résumé

Measurements of terahertz resonant emission due to the excitation of plasma waves by an optical beating inside AlGaAs/InGaAs/InP high electron mobility transistors are reported at 300 K and 200 K.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00636142 , version 1 (26-10-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00636142 , version 1

Citer

P. Nouvel, J. Torres, H. Marinchio, T. Laurent, S. Blin, et al.. Measurements of THz emission from nanometric-size transistors. 35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, Sep 2010, Rome, Italy. pp.1. ⟨hal-00636142⟩
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