Etching mechanisms of thin SiO2 exposed to Cl2 plasma - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00629230 , version 1 (05-10-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00629230 , version 1

Citer

C. Petit-Etienne, Maxime Darnon, L. Vallier, E. Pargon, G. Cunge, et al.. Etching mechanisms of thin SiO2 exposed to Cl2 plasma. Journal of Vacuum Science and Technology, 2011, B 29(5), Sep/Oct 2011. ⟨hal-00629230⟩
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