Residue growth on metallic hard mask after dielectric etching in fluorocarbon based plasmas. II. Solutions - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Vac. Sci. Technol. Année : 2011
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Dates et versions

hal-00625286 , version 1 (21-09-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00625286 , version 1

Citer

N. Posseme, R. Bouyssou, T. Chevolleau, T. David, V. Arnal, et al.. Residue growth on metallic hard mask after dielectric etching in fluorocarbon based plasmas. II. Solutions. Vac. Sci. Technol., 2011, pp.B 29 (1), Jan/Feb 2011, 011018. ⟨hal-00625286⟩
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