Influence de la pression partielle en hydrogène sur les propriétés semiconductrices des oxydes formés sur les alliages à basse de nickel dans l'eau primaire des REP - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Influence de la pression partielle en hydrogène sur les propriétés semiconductrices des oxydes formés sur les alliages à basse de nickel dans l'eau primaire des REP

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00609358 , version 1 (18-07-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00609358 , version 1

Citer

A. Loucif, O. Calonne, L. Fournier, J.-P. Petit, A. Galerie, et al.. Influence de la pression partielle en hydrogène sur les propriétés semiconductrices des oxydes formés sur les alliages à basse de nickel dans l'eau primaire des REP. Journées Jeunes Chercheurs 2010, Apr 2010, GIF SUR YVETTE, France. ⟨hal-00609358⟩
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